TRA CỨU
thông tin biểu ghi
  • Báo cáo nghiên cứu khoa học
  • Ký hiệu PL/XG: 660 T7721
    Nhan đề: Chế tạo lớp đệm zinc oxide với cấu trúc hình mái vòm ứng dụng chống phản xạ tia cực tím :
DDC 660
Tác giả CN Trần, Việt Cường
Nhan đề Chế tạo lớp đệm zinc oxide với cấu trúc hình mái vòm ứng dụng chống phản xạ tia cực tím : Báo cáo tổng kết đề tài NCKH dành cho cán bộ - giảng viên 2019 / Trần Việt Cường
Thông tin xuất bản Tp. Hồ Chí Minh : Trường Đh Nguyễn Tất Thành, 2019
Mô tả vật lý 19 tr. : ảnh minh họa ; 30 cm.
Phụ chú Số hợp đồng: 2019.01.26/HĐ-KHCN
Tóm tắt Đề tài tiến hành nghiên cứu với các nội dung: Chế tạo lớp đế nền silicon bằng phương pháp quang khắc, chế tạo cấu trúc hình mái vòm lớp đệm Sio2-ZnO, chế tạo cảm biến tia cực tím, chế tạo hệ đo cảm biến tia cực tím và khảo sát đánh giá các kết quả thực nghiệm.
Từ khóa tự do Lớp đệm Zinc oxide
Từ khóa tự do Tia cực tím
Khoa Viện Kỹ thuật Công nghệ cao NTT
Địa chỉ 300Q12_Đề Tài Nghiên Cứu Khoa Học(1): 078415
000 00000nam#a2200000u##4500
00129306
0024
004D93CDAC3-1D36-46E0-983B-BCDF3B9F8184
005202106250938
008210625s2019 vm vie
0091 0
039|y20210625093831|znghiepvu
040 |aNTT
041 |avie
044 |avm
082 |a660|bT7721|223
100 |aTrần, Việt Cường
245 |aChế tạo lớp đệm zinc oxide với cấu trúc hình mái vòm ứng dụng chống phản xạ tia cực tím : |bBáo cáo tổng kết đề tài NCKH dành cho cán bộ - giảng viên 2019 / |cTrần Việt Cường
260 |aTp. Hồ Chí Minh : |bTrường Đh Nguyễn Tất Thành, |c2019
300 |a19 tr. : |bảnh minh họa ; |c30 cm.
500 |aSố hợp đồng: 2019.01.26/HĐ-KHCN
504 |aPhụ chú cuối tài liệu
520 |aĐề tài tiến hành nghiên cứu với các nội dung: Chế tạo lớp đế nền silicon bằng phương pháp quang khắc, chế tạo cấu trúc hình mái vòm lớp đệm Sio2-ZnO, chế tạo cảm biến tia cực tím, chế tạo hệ đo cảm biến tia cực tím và khảo sát đánh giá các kết quả thực nghiệm.
541 |aNộp lưu chiểu
653 |aLớp đệm Zinc oxide
653 |aTia cực tím
690 |aViện Kỹ thuật Công nghệ cao NTT
852|a300|bQ12_Đề Tài Nghiên Cứu Khoa Học|j(1): 078415
890|a1|b0|c0|d0
Dòng Mã vạch Nơi lưu S.gọi Cục bộ Phân loại Bản sao Tình trạng Thành phần Đặt chỗ
1 078415 Q12_Đề Tài Nghiên Cứu Khoa Học 660 T7721 Sách mượn tại chỗ 1

Không có liên kết tài liệu số nào