TRA CỨU
thông tin biểu ghi
  • Bài trích
  • Ký hiệu PL/XG: 615.4
    Nhan đề: Khảo sát tính chất quang của vật liệu β-Ga2O3 pha tạp ion Cr3+ chế tạo bằng phương pháp khuếch tán nhiệt /
DDC 615.4
Tác giả CN Nguyễn, Mai Anh
Tác giả TT
Nhan đề Khảo sát tính chất quang của vật liệu β-Ga2O3 pha tạp ion Cr3+ chế tạo bằng phương pháp khuếch tán nhiệt / Nguyễn Mai Anh, Đàm Quang Học, Phạm Thị Lan Hương..[và những người khác]
Tóm tắt Nghiên cứu này báo cáo quy trình đơn giản chế tạo bột huỳnh quang β-Ga2O3 pha tạp Cr3+ (β-Ga2O3:Cr3+) với các nồng độ khác nhau (0,2-1,5%) bằng phương pháp khuếch tán nhiệt. Kết quả giản đồ nhiễu xạ tia X (XRD) cho thấy, vật liệu β-Ga2O3:Cr3+ có cấu trúc monoclinic. Thêm vào đó, ion Cr3+ được tìm thấy đã thay thế cho ion Ga3+ trong mạng nền β-Ga2O3. Phổ kích thích huỳnh quang (PLE) và phổ huỳnh quang (PL) chỉ ra rằng vật liệu β-Ga2O3:Cr3+ nhận được có thể kích thích tốt ở bước sóng 442 nm và phát xạ trong dải rộng bước sóng từ 620 đến 850 nm. Dưới điều kiện thực nghiệm, nồng độ Cr3+ pha tạp tối ưu để vật liệu β-Ga2O3:Cr3+ cho phát xạ mạnh nhất là 1,0% mol. Với đặc tính phát xạ trong dải rộng từ đỏ - đỏ xa và hấp thụ trong vùng xanh lam, vật liệu β-Ga2O3:Cr3+ có tiềm năng lớn trong ứng dụng chế tạo đèn LED chiếu sáng chuyên dụng cho cây trồng. Thêm vào đó, quy trình chế tạo vật liệu β-Ga2O3:Cr3+ được cho là đơn giản, rẻ tiền và độ lặp lại cao cho phép có thể chế tạo với quy mô số lượng lớn
Từ khóa tự do Ga2O3
Từ khóa tự do Khuếch tán nhiệt
Từ khóa tự do Pha tạp ion Cr3+
Từ khóa tự do Vật liệu β-Ga2O3
Tác giả(bs) CN Đàm, Quang Học
Tác giả(bs) CN Phạm, Thị Lan Hương
Nguồn trích Tạp chí Khoa học & Công nghệ Việt Nam 2024tr. 2-6 Số: 11B
000 00000nab#a2200000ui#4500
00153697
0029
00417AA67F8-F252-4DCF-9F24-26A0A9CE54EB
005202412240943
008081223s VN| vie
0091 0
039|y20241224094332|ztainguyendientu
040 |aACTVN
041 |avie
044 |avm
082 |a615.4
10010|aNguyễn, Mai Anh
110 |bBộ Khoa học và công nghệ
245 |aKhảo sát tính chất quang của vật liệu β-Ga2O3 pha tạp ion Cr3+ chế tạo bằng phương pháp khuếch tán nhiệt / |cNguyễn Mai Anh, Đàm Quang Học, Phạm Thị Lan Hương..[và những người khác]
520 |aNghiên cứu này báo cáo quy trình đơn giản chế tạo bột huỳnh quang β-Ga2O3 pha tạp Cr3+ (β-Ga2O3:Cr3+) với các nồng độ khác nhau (0,2-1,5%) bằng phương pháp khuếch tán nhiệt. Kết quả giản đồ nhiễu xạ tia X (XRD) cho thấy, vật liệu β-Ga2O3:Cr3+ có cấu trúc monoclinic. Thêm vào đó, ion Cr3+ được tìm thấy đã thay thế cho ion Ga3+ trong mạng nền β-Ga2O3. Phổ kích thích huỳnh quang (PLE) và phổ huỳnh quang (PL) chỉ ra rằng vật liệu β-Ga2O3:Cr3+ nhận được có thể kích thích tốt ở bước sóng 442 nm và phát xạ trong dải rộng bước sóng từ 620 đến 850 nm. Dưới điều kiện thực nghiệm, nồng độ Cr3+ pha tạp tối ưu để vật liệu β-Ga2O3:Cr3+ cho phát xạ mạnh nhất là 1,0% mol. Với đặc tính phát xạ trong dải rộng từ đỏ - đỏ xa và hấp thụ trong vùng xanh lam, vật liệu β-Ga2O3:Cr3+ có tiềm năng lớn trong ứng dụng chế tạo đèn LED chiếu sáng chuyên dụng cho cây trồng. Thêm vào đó, quy trình chế tạo vật liệu β-Ga2O3:Cr3+ được cho là đơn giản, rẻ tiền và độ lặp lại cao cho phép có thể chế tạo với quy mô số lượng lớn
653 |aGa2O3
653 |aKhuếch tán nhiệt
653 |aPha tạp ion Cr3+
653 |aVật liệu β-Ga2O3
700 |aĐàm, Quang Học
700 |aPhạm, Thị Lan Hương
7730 |tTạp chí Khoa học & Công nghệ Việt Nam |d2024|gtr. 2-6|x1859-4794|i11B
890|a0|b0|c1|d0
Không tìm thấy biểu ghi nào