Nghiên cứu này là thực nghiệm đa yếu tố và tối ưu hóa một số yếu tố công nghệ tiền xử lý thủy phân bằng enzyme pullulanase kết hợp quá trình thủy nhiệt để tạo tinh bột kháng tiêu hóa RS3 (tinh bột kháng RS3) từ bột gạo giống lúa IR50404. Kế hoạch thực nghiệm đa yếu tố sử dụng mô hình quy hoạch của Box-Behnken với 3 biến độc lập tương ứng miền biến thiên: nồng độ enzyme pullulanase (1,5-2,5%); nhiệt độ thủy phân (52-58oC); thời gian thủy phân (8-12 giờ). Các hàm mục tiêu gồm: hàm lượng tinh bột kháng RS3 (%), hàm lượng đường khử (%) và độ hòa tan (%).Xử lý số liệu và tối ưu hóa bằng phần mềm Design - Expert 7.1 có sử dụng thuật toán hàm mong đợi với mong muốn hàm lượng tinh bột kháng RS3, hàm lượng đường khử và độ hòa tan đạt giá trị lớn nhất, tương ứng hệ số quan trọng 5/5, 4/5 và 4/5. Kết quả của nghiên cứu đã xác định được chế độ tiền xử lý bằng thủy phân enzyme tối ưu với nồng độ enzyme pullulanase 2,2% ở nhiệt độ 54,4oC trong thời gian 10,4 giờ, tương ứng hàm lượng tinh bột kháng RS3 đạt 47,58±0,22%, hàm lượng đường khử đạt 14,12±0,08% và độ hòa tan đạt 68,52±0,18% sau quá trình thủy nhiệt.

Nghiên cứu này, vật liệu huỳnh quang Li2ZnSn2O6 pha tạp Cr3+ (Li2ZnSn2O6:Cr3+) phát xạ rộng vùng hồng ngoại gần được chế tạo bằng phương pháp phản ứng pha rắn. Kết quả phân tích XRD cho thấy, vật liệu Li2ZnSn2O6:Cr3+ được hình thành đơn pha khi nung ở nhiệt độ 950 và 1050oC và hai pha Li2ZnSn2O6-SnO2 khi nhiệt độ nung lớn hơn 1050oC. Ảnh FESEM cho thấy, hình thái bề mặt của vật liệu nung ở 950oC có dạng hạt với kích thước khoảng 100-300 nm và kích thước hạt ∼1 μm ở 1200oC. Kết quả phổ kích thích phát quang (PLE) và phổ huỳnh quang (PL) cho thấy, vật liệu hấp thu trong vùng 260-500 nm, phổ phát xạ mạnh trong dải bước sóng rộng từ vùng đỏ đến hồng ngoại gần với bước sóng cực đại tương ứng tại 797 nm. Dưới điều kiện thực nghiệm, phát xạ NIR với cường độ mạnh nhất được quan sát trong mẫu Li2ZnSn2O6:0,7%Cr3+ và ủ tại 1050°C thời gian 5 giờ trong môi trường không khí. Các kết quả của nghiên cứu cho thấy vật liệu Li2ZnSn2O6:Cr3+ có tiềm năng ứng dụng lớn trong chế tạo đèn NIR LEDs.

Nghiên cứu, thiết kế máy tự động cắt thuốc phóng NDSI-2K và ΦCΓ-2.B41M sử dụng cho dây chuyền sản xuất thuốc phóng hai gốc hình ống của Nhà máy Z195, Tổng cục Công nghiệp Quốc phòng. Phương pháp truyền thống hiện nay đang sử dụng là phương pháp thủ công, sử dụng lực đạp chân của công nhân thông qua hệ thống dẫn động cơ khí để kéo dao cắt chuyển động xuống cắt thuốc, tốn nhiều thời gian, nhân công và chất lượng sản phẩm không cao, thường phải tiện lại mặt đầu sau khi cắt để đảm bảo yêu cầu kỹ thuật. Với giải pháp mới, thuốc phóng được cắt tự động, nhanh chóng, an toàn và chính xác; việc tuyển chọn thuốc phóng thông qua hệ thống băng tải cân, dựa trên nguyên lý phân loại theo trọng lượng. Toàn bộ quá trình làm việc được điều khiển, kiểm soát bởi hệ thống cảm biến, bộ điều khiển logic lập trình PLC thông qua máy tính giám sát đặt tại phòng điều khiển. Dữ liệu có thể lưu trữ và trích xuất báo cáo định kỳ.

Nghiên cứu này sử dụng tác nhân ngẫu nhiên là chất diệt nấm benomyl để tăng cường sinh tổng hợp astaxanthin từ chủng nấm men Rhodosporidium toruloides. Benomyl đã cho hiệu quả gây đột biến tăng cường sinh astaxanthin ở các nồng độ thử nghiệm. Trong số các chủng đột biến được sàng lọc, chủng nấm men đã đột biến B18 (1138,51 µg/l) cho khả năng tích luỹ astaxanthin cao hơn 3,1 lần so với chủng bố mẹ. Chủng B18 có thời gian pha lag ngắn khoảng 5 giờ nuôi cấy và đi vào pha cân bằng sau 33 giờ, kéo dài trong 30 giờ và vào pha suy tàn sau 63 giờ lên men. Sau 96 giờ lên men là thời điểm hàm lượng astaxanthin tích lũy cao nhất, đạt 1138 µg/l. Kết quả thể hiện cao chiết astaxanthin thu được từ chủng B18 đột biến có khả năng dập tắt gốc tự do 2,2′-azinobis-(3-ethylbenzothiazoline-6-sulfonic acid) (ABTS) (IC50=8,531 µg/ml) cao gấp 6,2 lần so với vitamin E.

Trình bày những mục tiêu chính của việc xác định điểm hội tụ đó là hệ thống có thể phát hiện nhanh và chính xác điểm hội tụ trên bề mặt chi tiết gia công. Để nâng cao độ chính xác và hiệu quả của việc phát hiện điểm hội tụ trong gia công laser, nghiên cứu này mô phỏng hệ phát hiện điểm hội tụ chùm tia laser bằng cách sử dụng ma trận vi thấu kính. Nghiên cứu sử dụng quang hình học để khảo sát ảnh hưởng của ma trận vi thấu kính tới vị trí điểm hội tụ, sau đó dùng phương pháp xử lý ảnh kiểm tra lại bằng mô phỏng trong OpticStudio. Phát hiện của chúng tôi cho thấy, độ chính xác vị trí điểm hội tụ của chùm tia laser dựa trên ma trận vi thấu kính khá cao, với sai số 2,9% so với tính toán lý thuyết. Đồng thời, mô hình mô phỏng là một tham khảo có giá trị để tinh chỉnh các thông số của hệ quang học trong các ứng dụng cần đo chính xác vị trí tiêu cự.